耐高温压力传感器是为理解决在高温环境下对各种气体、液体的压力停止丈量。主要用于丈量锅炉、管道、高温反响容器内的压力、井下压力和各种发起机腔体内的压力、高温油品液位与检测、油井测压等范畴。

目前，研讨比拟多的高温压力传感器主要有SOS，SOI，SiO2，Poly2Si等半导体传感器，还有溅射合金薄膜高温压力传感器、高温光纤压力传感器和高温电容式压力传感器等。半导体电容式压力传感器相比压阻式压力传感器其灵活度高、温度稳定性好、功耗小，且只对压力敏感，对应力不敏感，因而，电容式压力传感器在许多范畴得到普遍应用。

根本组成及制造工艺：

硅电容式压力传感器的敏感元件是半导体薄膜，它能够由单晶硅、多晶硅等应用半导体工艺制造而成。典型的电容式传感器由上下电极、绝缘体和衬底构成。

当薄膜受压力作用时，薄膜会发作一定的变形，因而，上下电极之间的间隔发作一定的变化，从而使电容发作变化。

但电容式压力传感器的电容与上下电极之间的间隔的关系是非线性关系，因而，要用具有补偿功用的丈量电路对输出电容停止非线性补偿。

由于高温压力传感器工作在高温环境下，补偿电路会遭到环境温度的影响，从而产生较大的误差。

基于模型辨认的高温压力传感器，正是为了防止补偿电路在高温环境下工作产生较大误差而设计的，其设计计划是把传感器件与放大电路别离，经过模型辨认来得到所测环境的压力。高温工作区温度可达350℃。传感器件由铂电阻和电容式压力传感器构成。

高温压力传感器由硅膜片、衬底、下电极和绝缘层构成。其中下电极位于厚支撑的衬底上。电极上蒸镀一层绝缘层。硅膜片则是应用各向异性腐蚀技术，在一片硅片上从正背面腐蚀构成的。上下电极的间隙由硅片的腐蚀深度决议。硅膜片和衬底应用键合技术键合在一同，构成具有一定稳定性的硅膜片电容压力传感器。

由于铂电阻耐高温，且对温度敏感，选用铂电阻，既能够当普通电阻运用，又能够作为温度传感器用以探测被测环境的温度。